一、复习内容及基本要求
1.基本概念与知识
集成电路分类，CMOS集成电路的物理结构等基础知识。CMOS集成电路的设计和制造流程，物理设计的基本要素。
2.MOSFET逻辑设计
基本CMOS逻辑门和复杂逻辑门的电路结构和物理设计原理。CMOS逻辑门电子学分析，包括直流特性、开关特性和瞬态响应等。
3.硬件描述语言
Verilog HDL编程，功能的数字系统设计，并可进行逻辑综合。
4.高级数字系统分析
硬件描述语言HDL设计硬件系统的方法，电路与系统的物理特性，如面积消耗、速度、功耗、时滞、吞吐量等参数分析。VLSI系统时钟和时钟域、状态机的设计。加法器、乘法器等关键运算单元的不同设计方案，高速运算逻辑电路的设计。
5.微电子系统设计
双极/CMOS数字电路单元设计，专用集成电路(ASIC)设计，SoC设计方法，数字电路EDA技术，模拟/射频集成电路CAD，工艺与器件模拟。
6.系统级物理设计
VLSI物理设计的基本概念和知识。系统布局布线、时钟分布、模块分布。串扰、拴锁、天线效应、输入/输出电路及低功耗设计等。集成电路测试基础。
7.考试的基本要求
要求考生有扎实的半导体器件物理、模拟/数字/射频集成电路设计、集成电路与系统工艺及测试等相关基础理论知识。掌握现代集成电路与系统课程的基本概念和原理，能够综合应用所学的知识分析问题。
二、建议参考
1. John P. Uyemura，周润德译，超大规模集成电路与系统导论，北京：电子工业出版社，2004.1.
2.郝跃，贾新章等，编著，微电子概论(第二版)，北京：电子工业出版社，2011.6.
