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湖南师范大学2016考研749教育基础综

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  北京理工大学2016考研电子科学技术真题(网友版)1

  半导体:

  简答题和名词解释:单电子近似,本征激发,肖特基接触,功函数,外层电子与内层电子共有化运动的不同点,隧道效应

  大题:MIS的电容电压特性,电子的几率,求电导率 电子和空穴浓度,

  设计题:证明非平衡少子的存在。

  模电:

  简答题:二极管的种类,比较器的分类以及特点,作用!三极管放大电路的组态

  大题:放大电路的题目,求静态电流,输入电阻和输出电阻,画出交流等效电路。

  比较器的题目,画出传输特性曲线,求上下限门电压。

  考后关注:

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